原子層沉積(ALD)技術(shù)是先進(jìn)半導(dǎo)體制造中不可或缺的關(guān)鍵工藝。作為一家面向全球的半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體高端微納裝備制造商,江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“微導(dǎo)納米”)自成立以來(lái),持續(xù)深耕原子層沉積技術(shù),憑借自主研發(fā)、應(yīng)用牽引、生態(tài)營(yíng)造,逐步成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)ALD薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè),相關(guān)產(chǎn)品涵蓋邏輯、存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體等細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域。
瞄準(zhǔn)行業(yè)痛點(diǎn) 深耕細(xì)分領(lǐng)域
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化,對(duì)薄膜沉積技術(shù)提出了更高要求。光刻、刻蝕等工藝需與ALD技術(shù)精密結(jié)合,才能制造出數(shù)億級(jí)晶體管的復(fù)雜芯片。ALD技術(shù)由此成為半導(dǎo)體制造的核心基礎(chǔ)工藝之一,其發(fā)展水平直接關(guān)系到半導(dǎo)體芯片復(fù)雜功能的實(shí)現(xiàn)。
立足于此,微導(dǎo)納米自2015年成立以來(lái),立足國(guó)家戰(zhàn)略與市場(chǎng)需求,始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新,聚焦先進(jìn)微米級(jí)、納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,全力推動(dòng)原子層沉積技術(shù)研發(fā)進(jìn)程,加速產(chǎn)品創(chuàng)新與新賽道開(kāi)發(fā)布局。
技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)突破,2016年微導(dǎo)納米研發(fā)出高產(chǎn)能批量型樣機(jī)ALD設(shè)備,刷新高效電池量產(chǎn)效率;2021年公司在邏輯芯片前道制造用高介電常數(shù)介質(zhì)材料原子層沉積設(shè)備領(lǐng)域取得重大突破,滿足45納米至5納米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)所必需的高K柵介質(zhì)ALD工藝需求;2022年其研制出的新型存儲(chǔ)器原子層沉積設(shè)備,完成超高深寬比高密度電容制作,實(shí)現(xiàn)從2D到3D技術(shù)迭代……截至2025年6月,微導(dǎo)納米申請(qǐng)專(zhuān)利超710件,授權(quán)專(zhuān)利超210件。
得益于深厚的技術(shù)積淀,微導(dǎo)納米先后獲得工信部專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)企業(yè)、蘇南國(guó)家自主創(chuàng)新示范區(qū)獨(dú)角獸企業(yè)、江蘇省“小巨人”企業(yè)(制造類(lèi))及SEMI China SCC&ECOPV聯(lián)盟發(fā)起成員單位等系列榮譽(yù)。微導(dǎo)納米憑借其在ALD/CVD領(lǐng)域的技術(shù)突破,相關(guān)產(chǎn)品獲評(píng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品和技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)、IC創(chuàng)新獎(jiǎng)、灣芯獎(jiǎng)“技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)-技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)”等榮譽(yù)。
產(chǎn)學(xué)研共攜手 提升創(chuàng)新能力
創(chuàng)新產(chǎn)品持續(xù)涌現(xiàn)的背后,是微導(dǎo)納米持之以恒的創(chuàng)新、突破和超越。在堅(jiān)持自主研發(fā)的道路上,微導(dǎo)納米深諳協(xié)同創(chuàng)新的重要性,依托其在供需兩端的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),持續(xù)強(qiáng)化企業(yè)創(chuàng)新策源能力,不斷增加高質(zhì)量科技供給。
產(chǎn)學(xué)研深度融合,高效率成果轉(zhuǎn)化不斷推進(jìn):與上海交通大學(xué)聯(lián)合開(kāi)展先進(jìn)封裝技術(shù)與裝備攻關(guān),與南京大學(xué)圍繞ALD技術(shù)應(yīng)用共同開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體領(lǐng)域新材料、新工藝,與蘇州國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心合作研發(fā)第三代半導(dǎo)體新工藝……通過(guò)共建實(shí)驗(yàn)室、聯(lián)合攻關(guān)項(xiàng)目等多元形式,微導(dǎo)納米將高校的前沿理論與產(chǎn)業(yè)需求緊密結(jié)合,讓更多新技術(shù)從“實(shí)驗(yàn)室”走向“生產(chǎn)線”。
一項(xiàng)項(xiàng)創(chuàng)新成果從“書(shū)架”走向“貨架”。在光伏領(lǐng)域,微導(dǎo)納米率先將ALD技術(shù)進(jìn)行規(guī)?;瘧?yīng)用,并提供全套的SMART AEP? TOPCon整線工藝技術(shù)解決方案。而在半導(dǎo)體領(lǐng)域,微導(dǎo)納米先后解決多項(xiàng)半導(dǎo)體設(shè)備難題,在國(guó)內(nèi)率先將量產(chǎn)型High-k原子層沉積設(shè)備應(yīng)用于集成電路制造前道生產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)ALD設(shè)備“從0到1”的突破。
憑借優(yōu)質(zhì)的ALD創(chuàng)新產(chǎn)品,微導(dǎo)納米已開(kāi)拓半導(dǎo)體、光伏、新型顯示等多個(gè)應(yīng)用市場(chǎng),公司相關(guān)產(chǎn)品市場(chǎng)占有率連續(xù)多年位居國(guó)內(nèi)同類(lèi)企業(yè)第一。在近期舉行的2025年粵港澳大灣區(qū)國(guó)際集成電路博覽會(huì)上,微導(dǎo)納米多款創(chuàng)新產(chǎn)品及針對(duì)邏輯、存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域的解決方案精彩亮相,集中展示了其在高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的最新突破與技術(shù)成果,引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注。截至2025年6月底,微導(dǎo)納米半導(dǎo)體領(lǐng)域在手訂單超23億元,較年初增長(zhǎng)54.72%。
錨定產(chǎn)業(yè)新篇 筑牢競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
錨定“成為世界級(jí)的微納技術(shù)解決方案裝備制造商”目標(biāo),微導(dǎo)納米持續(xù)探尋薄膜沉積技術(shù)從技術(shù)追趕到創(chuàng)新領(lǐng)跑的跨越發(fā)展路徑?!靶袠I(yè)的發(fā)展離不開(kāi)技術(shù)支撐和生態(tài)引領(lǐng),想要進(jìn)一步拓寬業(yè)務(wù)布局,必須筑牢技術(shù)根基,參與生態(tài)共建。”微導(dǎo)納米相關(guān)負(fù)責(zé)人說(shuō)。
全力優(yōu)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài),微導(dǎo)納米一方面聚合人才、平臺(tái)等高端創(chuàng)新要素,積極引進(jìn)海內(nèi)外高端人才和創(chuàng)新團(tuán)隊(duì),擁有職工超1000人,其中國(guó)家重大人才工程A類(lèi)領(lǐng)軍人才1名,江蘇省“雙創(chuàng)人才”9名、“雙創(chuàng)團(tuán)隊(duì)”2個(gè),無(wú)錫市太湖人才6名;相繼建成國(guó)家博士后科研工作站、江蘇省省級(jí)企業(yè)技術(shù)中心、江蘇省原子層沉積技術(shù)工程研究中心等一批國(guó)家級(jí)和省級(jí)研發(fā)平臺(tái),提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力。
另一方面,深度參與跨區(qū)域技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)協(xié)作,2023年微導(dǎo)納米成功揭榜長(zhǎng)三角科技創(chuàng)新共同體聯(lián)合攻關(guān)項(xiàng)目,聚焦國(guó)家戰(zhàn)略需求,專(zhuān)門(mén)針對(duì)2—3年內(nèi)有望突破且需跨區(qū)域協(xié)作解決的關(guān)鍵技術(shù)難題開(kāi)展攻關(guān),助力構(gòu)建富有韌性和活力的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。
著眼于系統(tǒng)提升國(guó)內(nèi)ALD產(chǎn)品整體競(jìng)爭(zhēng)力,微導(dǎo)納米還充分發(fā)揮龍頭企業(yè)引領(lǐng)帶動(dòng)作用,積極參與團(tuán)體、行業(yè)和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的起草,相繼發(fā)布《半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備技術(shù)規(guī)范》《半導(dǎo)體設(shè)備集成電路制造用化學(xué)氣相淀積(CVD)設(shè)備測(cè)試方法》等5項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn),全力加速薄膜沉積技術(shù)推廣與應(yīng)用。
站在新的發(fā)展節(jié)點(diǎn),微導(dǎo)納米將進(jìn)一步加大研發(fā)投入,在鞏固既有優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上,緊抓行業(yè)發(fā)展機(jī)遇、儲(chǔ)備未來(lái)新增長(zhǎng)點(diǎn),以原子層沉積技術(shù)為核心,聚焦新器件、新架構(gòu)、新材料等工藝需求,積極推進(jìn)技術(shù)優(yōu)化、產(chǎn)品創(chuàng)新與場(chǎng)景應(yīng)用,為行業(yè)的升級(jí)與發(fā)展注入創(chuàng)新活力。